Galijum arsenid

Izvor: Wikipedia
Galijum arsenid
Uzorak galijum arsenida
Gallium arsenide crystal.jpg
Identifikacija
CAS registarski broj 1303-00-0 YesY
PubChem[1][2] 14770
ChemSpider[3] 14087 YesY
EINECS broj 215-114-8
UN broj 1557
MeSH gallium+arsenide
RTECS registarski broj toksičnosti LW8800000
Jmol-3D slike Slika 1
Svojstva
Molekulska formula GaAs
Molarna masa 144.645 g mol−1
Agregatno stanje Tamno crveni, staklasti kristali
Gustina 5.316 g cm−3[4]
Tačka topljenja

1238 °C, 1511 K, 2260 °F

Rastvorljivost u vodi nerastvoran
Energijska barijera 1.424 eV (na 300 K)
Elektronska mobilnost 8500 cm²/(V·s) (na 300 K)
Toplotna provodljivost 0.55 W/(cm·K) (at 300 K)
Indeks prelamanja (nD) 3.8[5]
Struktura
Kristalna rešetka/struktura Teseralna
Kristalografska grupa T2d-F-43m
Konstanta rešetke a = 565.35 pm
Geometrija molekula Tetraedralna
Oblik molekula (orbitale i hibridizacija) Linearan
Opasnost
Podaci o bezbednosti prilikom rukovanja (MSDS) Spoljašnji MSDS
EU-klasifikacija Toxic T Opasan po životnu sredinu N
NFPA 704
NFPA 704.svg
1
3
2
W
R-oznake R23/25, R50/53
S-oznake (S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61

 YesY (šta je ovo?)   (verifikuj)

Ukoliko nije drugačije napomenuto, podaci se odnose na standardno stanje (25 °C, 100 kPa) materijala

Infobox references

Galijum arsenid (GaAs) je jedinjenje elementa galijuma i arsenika. On je III/V poluprovodnik, i koristi se u proizvodnji uređaja kao što su integrisana kola mikrotalasne frekvencije, monolitna mikrotalasna integrisana kola, infracrvena svetlećih dioda, laserskih dioda, solarnih ćelija i optičkih prozora.

Priprema i hemija[uredi - уреди]

U ovom jedinjenju, galijum ima +3 oksidaciono stanje. Galijum arsenid se može pripremiti direktnom reakcijom iz elementa, što se koristi u brojnim industrijskim procesesima:[6]

  • Kristalni rast koristeći peći horizontalne zone u Bridgman-Stokbargerovoj tehnici.
  • Likvidno enkapsulirani rast se koristi za proizvodnju kristala visoke čistoće.

Alternativne metode za produkciju filmova od GaAs su:[6][7]

2 Ga + 2 AsCl3 → 2 GaAs + 3 Cl2
Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3 CH4
4 Ga + As4 → 4 GaAs ili 2 Ga + As2 → 2 GaAs

Reference[uredi - уреди]

  1. Li Q, Cheng T, Wang Y, Bryant SH (2010). "PubChem as a public resource for drug discovery.". Drug Discov Today 15 (23-24): 1052–7. doi:10.1016/j.drudis.2010.10.003. PMID 20970519.  edit
  2. Evan E. Bolton, Yanli Wang, Paul A. Thiessen, Stephen H. Bryant (2008). "Chapter 12 PubChem: Integrated Platform of Small Molecules and Biological Activities". Annual Reports in Computational Chemistry 4: 217–241. doi:10.1016/S1574-1400(08)00012-1. 
  3. Hettne KM, Williams AJ, van Mulligen EM, Kleinjans J, Tkachenko V, Kors JA. (2010). "Automatic vs. manual curation of a multi-source chemical dictionary: the impact on text mining". J Cheminform 2 (1): 3. doi:10.1186/1758-2946-2-3. PMID 20331846.  edit
  4. P. Patnaik (2003). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. str. 310. ISBN 0070494398. http://books.google.com/books?id=Xqj-TTzkvTEC&pg=PA310. 
  5. Refractive index of GaAs. Ioffe database
  6. 6.0 6.1 S. J. Moss, A. Ledwith (1987). The Chemistry of the Semiconductor Industry. Springer. ISBN 0216920051. 
  7. Lesley Smart, Elaine A. Moore (2005). Solid State Chemistry: An Introduction. CRC Press. ISBN 0748775161. 

Literatura[uredi - уреди]

Spoljašnje veze[uredi - уреди]