Tunelska dioda

Iz Wikipedije, slobodne enciklopedije
Idi na navigaciju Idi na pretragu
Tunelska dioda
GE 1N3716 tunnel diode.jpg
1N3716 tunelska dioda (sa 0.1" jumperom radi razmere)
Tip komponente pasivna
Princip rada kvantno mehanički efekat poznat kao tuneliranje
Izumitelj Leo Esaki
Yuriko Kurose[1]
Takashi Suzuki[2][3]
Prva proizvodnja 1957.
Pinovi anoda i katoda
Elektronski simbol
Tunnel diode symbol.svg

Tunelska dioda ili Esakijeva dioda je posebna vrsta poluvodičke diode koja se sastoji od vrlo tankog zapornog sloja (pn-spoja) pri čemu su i p-sloj i n-sloj ekstremno dotirani. Zbog takva spoja elektronima se omogućuje tuneliranje iz vodljivog pojasa n-strane kroz barijeru na p-stranu tzv. tunelskim efektom. Na jednom dijelu porastom napona dolazi do pada struje. Upotrebljava se za vrlo brze elektronske komponente, pa i kao memorija.[4]

Reference[uredi - уреди | uredi izvor]

  1. "Diode type semiconductor device". United States patent. 3,033,714. https://patents.google.com/patent/US3033714A/en. 
  2. Esaki, L.; Kurose, Y.; Suzuki, T. (1957). "Ge P-N Junction のInternal Field Emission". 日本物理学会年会講演予稿集 12 (5): 85. http://ci.nii.ac.jp/naid/110002243535/en/. 
  3. "Chapter 9: The Model 2T7 Transistor". Sony History. Sony Global. https://www.sony.net/SonyInfo/CorporateInfo/History/SonyHistory/1-09.html. Pristupljeno 4 April 2018. 
  4. tunelska dioda

Spoljašnje veze[uredi - уреди | uredi izvor]