Tunelska dioda

Iz Wikipedije, slobodne enciklopedije
Idi na navigaciju Idi na pretragu
Tunelska dioda
GE 1N3716 tunnel diode.jpg
1N3716 tunelska dioda (sa 0.1" jumperom radi razmere)
Tip komponentepasivna
Princip radakvantno mehanički efekat poznat kao tuneliranje
IzumiteljLeo Esaki
Yuriko Kurose[1]
Takashi Suzuki[2][3]
Prva proizvodnja1957.
Pinovianoda i katoda
Elektronski simbol
Tunnel diode symbol.svg

Tunelska dioda ili Esakijeva dioda je posebna vrsta poluvodičke diode koja se sastoji od vrlo tankog zapornog sloja (pn-spoja) pri čemu su i p-sloj i n-sloj ekstremno dotirani. Zbog takva spoja elektronima se omogućuje tuneliranje iz vodljivog pojasa n-strane kroz barijeru na p-stranu tzv. tunelskim efektom. Na jednom dijelu porastom napona dolazi do pada struje. Upotrebljava se za vrlo brze elektronske komponente, pa i kao memorija.[4]

Reference[uredi - уреди | uredi kôd]

Spoljašnje veze[uredi - уреди | uredi kôd]