Tunelska dioda
Prijeđi na navigaciju
Prijeđi na pretragu
 1N3716 tunelska dioda (sa 0.1" jumperom radi razmere) | |
| Tip komponente | pasivna |
|---|---|
| Princip rada | kvantno mehanički efekat poznat kao tuneliranje |
| Izumitelj | Leo Esaki Yuriko Kurose[1] Takashi Suzuki[2][3] |
| Prva proizvodnja | 1957. |
| Pinovi | anoda i katoda |
| Elektronski simbol | |
 | |
Tunelska dioda ili Esakijeva dioda je posebna vrsta poluvodičke diode koja se sastoji od vrlo tankog zapornog sloja (pn-spoja) pri čemu su i p-sloj i n-sloj ekstremno dotirani. Zbog takva spoja elektronima se omogućuje tuneliranje iz vodljivog pojasa n-strane kroz barijeru na p-stranu tzv. tunelskim efektom. Na jednom dijelu porastom napona dolazi do pada struje. Upotrebljava se za vrlo brze elektronske komponente, pa i kao memorija.[4]
Reference[uredi | uredi kod]
- ↑ „Diode type semiconductor device”. United States patent. 3,033,714.
- ↑ Esaki, L.; Kurose, Y.; Suzuki, T. (1957). „Ge P-N Junction のInternal Field Emission”. 日本物理学会年会講演予稿集 12 (5): 85.
- ↑ „Chapter 9: The Model 2T7 Transistor”. Sony History. Sony Global. Pristupljeno 4 April 2018.
- ↑ tunelska dioda
