Amorfnost – razlika između verzija

Izvor: Wikipedija
Prijeđi na navigaciju Prijeđi na pretragu
Uklonjeni sadržaj Dodani sadržaj
m r2.7.1) (robot Dodaje: ca:Sòlid amorf
Tekstovi (razgovor | doprinos)
Nema sažetka izmjene
Red 9: Red 9:


Sto se tice specificne primjene, amorfni metalni slojevi su igrali vaznu ulogu u diskusiji o navodnoj superprovodljivosti amorfnih metala. Danas se opticki pokrivaci koji se prave od TiO<sub>2</sub>, SiO<sub>2</sub>, Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> itd. i njihove kombinacije se vecinom sastoje od amorfnih faza ovih komponenata. Tanki amorfni filmovi se takodje primjenjuju za razdvajanje gasa kod slojeva membrana. Uglavnom su napravljeni od tankog sloja slojeva SiO<sub>2</sub> koji su debeli nekoliko nm koji sluze kao izolator iznad provodnog kanala MOSFET-a. Takodje, hidrogenizovani amorfni silicijum tj. a-Si:H ima tehnicku primjenu u solarne celije na bazi tankih filmova. Kod a-Si:H nedostatak uredjenosti izmedju atoma silicijuma se javlja zbog prisustva vodonika u vidu nekoliko procenata.
Sto se tice specificne primjene, amorfni metalni slojevi su igrali vaznu ulogu u diskusiji o navodnoj superprovodljivosti amorfnih metala. Danas se opticki pokrivaci koji se prave od TiO<sub>2</sub>, SiO<sub>2</sub>, Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> itd. i njihove kombinacije se vecinom sastoje od amorfnih faza ovih komponenata. Tanki amorfni filmovi se takodje primjenjuju za razdvajanje gasa kod slojeva membrana. Uglavnom su napravljeni od tankog sloja slojeva SiO<sub>2</sub> koji su debeli nekoliko nm koji sluze kao izolator iznad provodnog kanala MOSFET-a. Takodje, hidrogenizovani amorfni silicijum tj. a-Si:H ima tehnicku primjenu u solarne celije na bazi tankih filmova. Kod a-Si:H nedostatak uredjenosti izmedju atoma silicijuma se javlja zbog prisustva vodonika u vidu nekoliko procenata.

Pojavljivanje amorfnih faza je takodje vazno u proucavanju rasta tankih filmova. Rast polikristalnih filmova cesto pocinje amorfnim sloja, cija debljina moze biti samo nekoliko nm. Najbolje ispitan primjer je tanki polikristalni silicijumski film gdje je pocetni amorfni sloj posmatran u mnogim ispitivanjima. Komadi polikristala su identifikovani pomocu transmisionog elektronskog mikroskopa i uoceno je da rastu iz amorfnog sloja nakon sto amorfni sloj dostigne odredjenu debljinu, cija precizna vrijednost zavisi od temperature izdvajanja, pritiska i raznih drugih parametara. Ovaj fenomen je interpretiran u okviru Ostvladovih pravila o stanjima koje predvidja formiranje manje stabnilnih faza koje tokom vremena kondenzacija prelaze u stabilnije oblike. Eksperimentalna proucavanja ovog fenomena zahtijevaju odredjeno stanje povrsine supstrata i njegovu gustinu nakon koje se stvara tanki film.

[[Kategorija: Fizička hemija]]


[[ar:مادة لابلورية]]
[[ar:مادة لابلورية]]

Verzija na datum 16 februar 2011 u 01:51

Za čvrstu supstancu kažemo da je amorfna ako njene čestice nisu uređene kao kod kristala. Primjeri amorfnih tijela su staklo, gelovi, tanki filmovi i nanostrukturni materijali.

Nanostrukturni materijali

Ako je velicina kristala mala onda je tesko napraviti razliku izmedju amorfnih tijela i kristala. I amorfna tijela imaju neku uredjenost cestica na malim rastojanjima atomskih velicina zbog prirode hemijskih veza. Takodje u veoma malim kristalima veliki broj molekula je rasporedjeno uglavnom na povrsini ili blizu povrsine, zato sto efekti dejstva povrsine vrse distorziju pozicije cestica sto smanjuje uredjenost cestica. Cak i pri najnaprednijim tehnikama odredjivanja strukture, kao sto je difrakcija X zracima i prenos elektronskim mikroskopom, postoji teskoca pri odredjivanju da li se radi o kristalnom ili amorfnom tijelu na duzinama koje su atomskog reda.

Amorfni tanki filmovi

Amorfne faze su vazni dijelovi tankih filmova, koji su cvrsti slojevi debljine nekoliko nanometara do nekoliko desetina mikrometara koji su naneseni na supstrat. Za opisivanje mikrostrukture keramike i tankih filmova su razvijeni strukturni modeli zona kao funkcije homologne temperature Tk koja predstavlja odnos temperature talozenja i temperature topljenja. Prema ovim modelima potreban (ali ne i dovoljan uslov) za pojavljivanje amorfne faze je da Tk mora biti manje od 0.3 tj. da temperatura talozenja mora biti niza od 30% temperature topljenja. Za vece vrijednosti, povrsinska difuzija izdvojenih atomskih vrsta bi omogucila formiranje kristala sa visokom uredjenoscu atoma.

Sto se tice specificne primjene, amorfni metalni slojevi su igrali vaznu ulogu u diskusiji o navodnoj superprovodljivosti amorfnih metala. Danas se opticki pokrivaci koji se prave od TiO2, SiO2, Ta2O5 itd. i njihove kombinacije se vecinom sastoje od amorfnih faza ovih komponenata. Tanki amorfni filmovi se takodje primjenjuju za razdvajanje gasa kod slojeva membrana. Uglavnom su napravljeni od tankog sloja slojeva SiO2 koji su debeli nekoliko nm koji sluze kao izolator iznad provodnog kanala MOSFET-a. Takodje, hidrogenizovani amorfni silicijum tj. a-Si:H ima tehnicku primjenu u solarne celije na bazi tankih filmova. Kod a-Si:H nedostatak uredjenosti izmedju atoma silicijuma se javlja zbog prisustva vodonika u vidu nekoliko procenata.

Pojavljivanje amorfnih faza je takodje vazno u proucavanju rasta tankih filmova. Rast polikristalnih filmova cesto pocinje amorfnim sloja, cija debljina moze biti samo nekoliko nm. Najbolje ispitan primjer je tanki polikristalni silicijumski film gdje je pocetni amorfni sloj posmatran u mnogim ispitivanjima. Komadi polikristala su identifikovani pomocu transmisionog elektronskog mikroskopa i uoceno je da rastu iz amorfnog sloja nakon sto amorfni sloj dostigne odredjenu debljinu, cija precizna vrijednost zavisi od temperature izdvajanja, pritiska i raznih drugih parametara. Ovaj fenomen je interpretiran u okviru Ostvladovih pravila o stanjima koje predvidja formiranje manje stabnilnih faza koje tokom vremena kondenzacija prelaze u stabilnije oblike. Eksperimentalna proucavanja ovog fenomena zahtijevaju odredjeno stanje povrsine supstrata i njegovu gustinu nakon koje se stvara tanki film.